IXFA18N65X2

这些双N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻。该器件专为低压应用而设计，可替代双极型数字晶体管和小信号MOSFET。

• 25 V、0.50 A连续电流、1.5 A峰值电流。漏源导通电阻RDS(ON) = 0.45 Ω，栅源电压VGS = 4.5 V；漏源导通电阻RDS(ON) = 0.60 Ω，栅源电压VGS = 2.7 V。
• 极低的栅极驱动要求，允许在3 V电路中直接工作（栅源开启电压VGS(th) < 1.5 V）。
• 具有栅源齐纳二极管，具备出色的静电放电（ESD）耐受性（人体模型>6 kV）。
• 采用紧凑的行业标准SC70 - 6表面贴装封装。