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NP50P06KDG-E1-AY
1个P沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP50P06KDG-E1-AY
- 商品编号
- C3291067
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 95nC@48V | |
| 输入电容(Ciss) | 5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款MOSFET是一款采用垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）结构的增强型硅栅功率场效应晶体管。它经过特殊设计和处理，在承受总剂量（γ射线）和中子（n⁰）辐射时，其特性变化极小。设计和工艺方面还致力于提高其在剂量率（γ射线剂量率）辐射下的存活率。
商品特性
- 超低导通电阻:RDS(on) 最大为17 mΩ(VGS = -10 V,ID = -25 A)
- RDS(on) 最大为23 mΩ(VGS = -4.5 V,ID = -25 A)
- 低输入电容:Ciss 典型值为5000 pF
- 专为汽车应用设计,符合AEC-Q101标准
- 无铅(该产品外部电极不含铅)
应用领域
- 汽车领域
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