NP100P04PLG-E1-AY
1个P沟道 耐压:40V 电流:100A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP100P04PLG-E1-AY
- 商品编号
- C3291065
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.1mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 320nC@32V | |
| 输入电容(Ciss) | 15.1nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.13nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
NP100N04PUK 是一款为大电流开关应用设计的 N 沟道 MOS 场效应晶体管。
商品特性
- 最大漏源导通电阻 RDS(on) = 2.3 mΩ（VGS = 10 V，ID = 50 A）
- 超低导通电阻
- 低输入电容 Ciss = 4700 pF（典型值，VDS = 25 V）
- 专为汽车应用设计，符合 AEC - Q101 标准
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