NP100P04PLG-E1-AY
1个P沟道 耐压:40V 电流:100A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP100P04PLG-E1-AY
- 商品编号
- C3291065
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.1mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 320nC@32V | |
| 输入电容(Ciss) | 15.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.13nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
NP100N04PUK 是一款为大电流开关应用设计的 N 沟道 MOS 场效应晶体管。
商品特性
- 超低导通电阻:RDS(on) 最大为3.7 mΩ(VGS = -10 V,ID = -50 A)
- RDS(on) 最大为5.1 mΩ(VGS = -4.5 V,ID = -50 A)
- 低输入电容:Ciss典型值为15100 pF
- 内置栅极保护二极管
- 专为汽车应用设计,符合AEC-Q101标准
- 无铅(该产品外部电极不含铅)
应用领域
汽车领域
相似推荐
其他推荐
- NP36P04KDG-E1-AY
- NP50P06KDG-E1-AY
- 2SK3479-Z-E1-AZ
- NP89N055PUK-E1-AY
- 2SK3812-ZP-E1-AZ
- NP89N06PDK-E1-AY
- NP110N04PUK-E1-AY
- NP180N04TUK-E1-AY
- NP179N04TUK-E1-AY
- NP179N055TUK-E1-AY
- RBA250N04AHPF-4UA01#GB0
- 2SK2225-80-E#T2
- HAT1043M-EL-E
- UPA1803GR-9JG-E1-A
- UPA1873GR-9JG-E1-A
- RJK03M1DPA-00#J5A
- RJK0353DPA-01#J0B
- RJK03M4DPA-00#J5A
- HAT2201WP-EL-E
- RJK0346DPA-00#J0
- RJK0391DPA-00#J5A