NP36P04KDG-E1-AY
1个P沟道 耐压:40V 电流:36A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP36P04KDG-E1-AY
- 商品编号
- C3291066
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 450pF |
商品特性
- 国际标准封装
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（QG）
- 雪崩额定值
- 低封装电感
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
-开关模式和谐振模式电源-DC-DC 转换器-PFC 电路-交流和直流电机驱动器-机器人技术和伺服控制
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