- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A；46A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W；150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.05nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
-沟槽功率中压MOSFET技术-低导通电阻RDS(ON)-低栅极电荷-针对快速开关应用进行优化
商品特性
- 100%进行了非钳位感性负载(UIS)测试
- 100%进行了栅极电阻(Rg)测试
- 绿色产品
应用领域
-直流/直流和交流/直流转换器中的同步整流-工业和电机驱动应用