FDD6670AS
1个N沟道 耐压:30V 电流:76A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD6670AS
- 商品编号
- C3290900
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 76A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.58nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 440pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
商品特性
- 76 A、30 V,VGS = 10 V时,RDS(ON)最大值 = 8.0 mΩ
- VGS = 4.5 V时,RDS(ON)最大值 = 10.4 mΩ
- 集成SyncFET肖特基体二极管
- 低栅极电荷(典型值29nC)
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 具备高功率和高电流处理能力
应用领域
-DC/DC转换器-笔记本电脑低端电路