FQD2P40TF
1个P沟道 耐压:400V 电流:1.56A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQD2P40TF
- 商品编号
- C3290926
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.56A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品特性
- 当VGS = 10 V、ID = 50 A时，RDS(导通) = 13 mΩ（典型值）
- 当VGS = 10 V时，QG(总) = 31 nC（典型值）
- 低米勒电荷
- 低Qrr体二极管
- 具有单脉冲和重复脉冲的UIS能力
应用领域
-同步整流-电池保护电路-电机驱动和不间断电源