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DI020N06D1实物图
  • DI020N06D1商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DI020N06D1

1个N沟道 耐压:60V 电流:20A

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描述
特性:先进的沟槽技术。 低导通电阻。 快速开关时间。 低栅极电荷。 雪崩额定。 符合RoHS(豁免7a)、REACH和冲突矿物规定。应用:DC/DC转换器。 低电源
商品型号
DI020N06D1
商品编号
C3290987
商品封装
TO-252-3(DPAK)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))35mΩ@10V
耗散功率(Pd)45W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)25.3nC@10V
输入电容(Ciss)590pF
反向传输电容(Crss)64pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)70pF

商品特性

  • 先进沟槽技术
  • 低导通电阻
  • 快速开关时间
  • 低栅极电荷
  • 雪崩额定值
  • 符合 RoHS(豁免条款 7a)、REACH 和冲突矿产法规
  • 先进沟槽技术
  • 低导通电阻
  • 快速开关时间
  • 低栅极电荷
  • 雪崩特性
  • 符合 RoHS(豁免条款 7a)、REACH 和冲突矿产法规

应用领域

  • DC/DC 转换器
  • 电源
  • 直流驱动器
  • 同步整流器
  • 直流转换器
  • 电源供应
  • 直流驱动器
  • 同步整流器

数据手册PDF