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SIHLR120-GE3

1个N沟道耐压:100V 电流:7.7A

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIHLR120-GE3
商品编号: C3290994
商品封装: TO-252AA
包装方式: 编带
商品毛重: 0.437克(g)

商品参数

商品概述

这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可在单位硅片面积上实现尽可能低的导通电阻，从而实现出色的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，并且二极管具有极短的反向恢复时间和极少的存储电荷。它专为对功率效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。

商品特性

逻辑电平栅极驱动
20A、30V
超低导通电阻，rDS(ON) = 0.016 Ω
温度补偿PSPICE模型
温度补偿SABER模型
热阻抗SPICE模型
热阻抗SABER模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定曲线

应用领域

开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器-低压总线开关-便携式和电池供电产品的电源管理

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	7.7A
	导通电阻(RDS(on))	270mΩ@5V
	耗散功率(Pd)	42W
	阈值电压(Vgs(th))	2V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	12nC@5V
	输入电容(Ciss)	490pF
	反向传输电容(Crss)	30pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	150pF