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SQD30N05-20L_T4GE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SQD30N05-20L_T4GE3

1个N沟道 耐压:55V 电流:30A

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SQD30N05-20L_T4GE3
商品编号
C3291018
商品封装
TO-252AA​
包装方式
编带
商品毛重
0.437克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))26mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)50W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)18nC@5V
输入电容(Ciss)1.175nF
反向传输电容(Crss)110pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)255pF

商品特性

  • 先进沟槽技术
  • 低导通电阻
  • 快速开关时间
  • 低栅极电荷
  • 雪崩额定值
  • 符合RoHS(豁免条款7a)、REACH和冲突矿物法规
  • 先进沟槽技术
  • 低导通电阻
  • 快速开关时间
  • 低栅极电荷
  • 雪崩特性
  • 符合RoHS(豁免条款7a)、REACH和冲突矿物法规

应用领域

  • DC/DC转换器
  • 电源
  • 直流驱动器
  • 同步整流器
  • 直流转换器
  • 电源
  • 直流驱动器
  • 同步整流器

数据手册PDF