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SQD50P08-28-T4_GE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SQD50P08-28-T4_GE3

1个P沟道 耐压:80V 电流:48A

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SQD50P08-28-T4_GE3
商品编号
C3291026
商品封装
TO-252AA​
包装方式
编带
商品毛重
0.437克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)48A
导通电阻(RDS(on))28mΩ@10V
耗散功率(Pd)136W
阈值电压(Vgs(th))3.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)145nC@10V
输入电容(Ciss)6.035nF
反向传输电容(Crss)280pF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)430pF

商品特性

  • 国际标准封装
  • 雪崩额定
  • 低封装电感
  • 快速本征整流器
  • 175°C工作温度
  • 高电流处理能力
  • 符合ROHS标准
  • 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(on)
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

  • 汽车发动机控制-同步降压转换器(用于笔记本系统电源和通用点负载)-DC/DC转换器-高电流开关应用-动力总成管理-分布式电源架构

数据手册PDF