SIHFR420A-GE3
1个N沟道 耐压:500V 电流:3.3A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHFR420A-GE3
- 商品编号
- C3291043
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 53pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高采用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低导通状态漏源电阻和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- 栅源电压为10 V、漏极电流为17.7 A时，最大导通状态漏源电阻 = 7.5 mΩ
- 栅源电压为4.5 V、漏极电流为13.2 A时，最大导通状态漏源电阻 = 17.0 mΩ
- 100% UII测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 台式计算机和服务器的Vcore DC-DC
- 中间总线架构的VRM
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