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SIHFR420A-GE3实物图
  • SIHFR420A-GE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIHFR420A-GE3

1个N沟道 耐压:500V 电流:3.3A

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIHFR420A-GE3
商品编号
C3291043
商品封装
TO-252AA​
包装方式
编带
商品毛重
0.437克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)2.1A
导通电阻(RDS(on))3Ω@10V
耗散功率(Pd)83W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)17nC@10V
输入电容(Ciss)340pF
反向传输电容(Crss)2.7pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)53pF

商品概述

这款N沟道MOSFET专为提高采用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低导通状态漏源电阻和快速开关速度进行了优化。

商品特性

  • 低栅极电荷 Qg,驱动要求简单
  • 改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性
  • 全面表征了电容、雪崩电压和电流
  • 明确规定了有效 Coss

应用领域

  • 开关模式电源 (SMPS)
  • 不间断电源
  • 高速功率开关

数据手册PDF