商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 314nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET是一款采用垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)结构的增强型硅栅功率场效应晶体管。它经过特殊设计和处理,在承受总剂量(γ射线)和中子(n0)辐射时,其特性变化极小。设计和工艺方面还致力于提高其在剂量率(γ射线剂量率)辐射下的存活率。
商品特性
- 25A、100V,总剂量下rDS(ON) = 0.070 Ω
- 满足100K RAD (Si)的预辐射规格
- 剂量率
- 在80% BV DSS下,通常能承受3E9 RAD (Si)/s的辐射
- 若电流限制在IDM,通常能承受2E12的辐射
- 光电流
- 典型值为每RAD(Si)/s 7.0nA
- 中子
- 在3E13中子/cm2的辐射下,能保持预辐射规格
- 在3E14中子/cm2的辐射下仍可使用