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TSM70N600ACL X0G

1个N沟道耐压:700V 电流:8A

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM70N600ACL X0G
商品编号: C3291061
商品封装: TO-262S(I2PAK)
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品特性

超结技术
高性能,低导通电阻RDS(ON)与栅极电荷Qg乘积优值(FOM)
高耐用性
100%进行非钳位感性开关(UIS)和栅极电阻(Rg)测试
符合欧盟指令2011/65/EU的RoHS标准,且符合WEEE指令2002/96/EC
根据IEC 61249-2-21标准为无卤产品

应用领域

电源
交流/直流LED照明

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	700V
	连续漏极电流(Id)	8A
	导通电阻(RDS(on))	600mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	83W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	12.6nC@10V
	输入电容(Ciss)	743pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道