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TSM70N600ACL X0G

1个N沟道耐压:700V 电流:8A

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM70N600ACL X0G
商品编号: C3291061
商品封装: TO-262S(I2PAK)
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品特性

~~- 优化设计-低面积比导通电阻-低输入电容 (Ciss)-降低电容开关损耗-高体二极管耐用性-雪崩能量额定值 (UIS)-最佳效率和运行性能-低成本-简单的栅极驱动电路-低品质因数 (FOM):Ron × QG-快速开关

应用领域

消费电子-显示器(LCD 或等离子电视)-服务器和电信电源-开关电源-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	700V
	连续漏极电流(Id)	8A
	导通电阻(RDS(on))	600mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	83W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA
	栅极电荷量(Qg)	12.6nC@10V
	输入电容(Ciss)	743pF@100V
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道