HUF75339S3
1个N沟道 耐压:55V 电流:70A
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- HUF75339S3
- 商品编号
- C3291060
- 商品封装
- TO-262AA
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 124W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 700pF |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFETTM工艺制造。这种先进的工艺技术实现了单位硅面积尽可能低的导通电阻,从而具有出色的性能。该器件能够承受雪崩模式下的高能量,其二极管具有极短的反向恢复时间和极少的存储电荷。它专为对电源效率要求较高的应用而设计,如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关以及便携式和电池供电产品的电源管理。
商品特性
- 70A,55V
- 超低导通电阻,rDS(ON) = 0.012Ω
- 二极管兼具高速和软恢复特性
- 温度补偿PSPICE模型
- 热阻SPICE模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- UIS额定曲线
应用领域
- 汽车
- 电机驱动
- 12V电源总线
- 防抱死制动系统（ABS）
- DC/DC转换器和离线式UPS
- 初级侧开关
- 高电流开关应用