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SQD50P08-28_GE3
1个P沟道 耐压:80V 电流:48A
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- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 通过AEC-Q101认证。 100%进行Rg和UIS测试。 符合RoHS指令2002/95/EC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQD50P08-28_GE3
- 商品编号
- C3291034
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 145nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.035nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
- 通过AEC-Q101认证
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