SUD50P04-08-BE3
1个P沟道 耐压:40V 电流:50A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SUD50P04-08-BE3
- 商品编号
- C3291028
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 93.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 95nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.12nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 320pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
N沟道功率MOSFET采用MegaFET工艺制造。该工艺的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI），能实现硅的最优利用，从而带来卓越性能。它们专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用而设计。这些晶体管可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 20A，30V
- 漏源导通电阻rDS(ON) = 0.025 Ω
- 温度补偿PSPICE模型
- 热阻SPICE模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- 非钳位感性开关（UIS）额定曲线
- 工作温度175°C
应用领域
- 开关稳压器
- 开关转换器
- 电机驱动器
- 继电器驱动器
相似推荐
其他推荐
- SQD50P04-13L_GE3
- IRFR9014TRPBF-BE3
- SIHD3N50D-BE3
- SQD50P08-28_GE3
- SUD90330E-GE3
- IRFR014TRLPBF-BE3
- SQD40N10-25-T4_GE3
- SUD50N04-8M8P-4BE3
- SIHFR9024TR-GE3
- SIHFR420A-GE3
- SQD50P04-09L_T4GE3
- SUM70042E-GE3
- SQM40041EL_GE3
- SQM50020EL_GE3
- SQM120N10-09_GE3
- SQM60N20-35_GE3
- SUM60N10-17-E3
- SUM90220E-GE3
- SQM120P04-04L_GE3
- SQM47N10-24L_GE3
- SQM100N10-10_GE3