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HUFA76419D3ST

1个N沟道 耐压:60V 电流:20A

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
HUFA76419D3ST
商品编号
C3291032
商品封装
TO-252AA​
包装方式
编带
商品毛重
0.437克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))43mΩ@5V
耗散功率(Pd)75W
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)27.5nC@10V
输入电容(Ciss)900pF@25V
反向传输电容(Crss)45pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)250pF

商品特性

  • 超低导通电阻
  • 具备非钳位电感开关 (UIS) 额定值
  • 封装电感低
  • 易于驱动和保护
  • 工作温度达 175 °C
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 功率密度高

应用领域

  • 汽车领域
  • 电机驱动器
  • 高端开关
  • 12V 电池
  • 防抱死制动系统 (ABS)
  • DC/DC 转换器和离线式 UPS
  • 初级侧开关
  • 大电流开关应用

数据手册PDF