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SUD90330E-GE3
1个N沟道 耐压:200V 电流:35.1A
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- 描述
- 特性：ThunderFET功率MOSFET。 低RDS-Qg品质因数（FOM）。 最高175℃结温。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步整流。 电源
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SUD90330E-GE3
- 商品编号
- C3291035
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.933克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42.2mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.172nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低rDS(ON)和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- ThunderFET功率MOSFET
- 低RDS - Qg品质因数(FOM)
- 最高结温175 °C
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 电源
- DC/AC逆变器
- DC/DC转换器
- 太阳能微型逆变器
- 电机驱动开关
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