SQD40N10-25-T4_GE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:40A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQD40N10-25-T4_GE3
- 商品编号
- C3291039
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.38nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 390pF |
商品概述
这些双 N 沟道和 P 沟道增强型功率 MOSFET 采用仙童半导体公司先进的 PowerTrench 工艺制造，该工艺经过特别优化，可在保持卓越开关性能的同时，最大限度地降低导通电阻。
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行Rg和UIS测试
- 通过AEC-Q101认证
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 逆变器
- H 桥
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