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IXTY4N65X2-TRL
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTY4N65X2-TRL
- 商品编号
- C3291019
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@10V,2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 455pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
FDS6676S旨在替代同步DC-DC电源中的DPAK MOSFET和肖特基二极管。这款30V MOSFET旨在最大限度地提高功率转换效率，提供低漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。FDD6676S采用仙童半导体的单片SyncFET技术，集成了一个肖特基二极管。
商品特性
- 78 A、30 V，栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 6.0 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 7.1 mΩ
- 低栅极电荷
- 快速开关
- 高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）
应用领域
-DC/DC转换器
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