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SIHFR9310-GE3

1个P沟道耐压:400V 电流:1.8A

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIHFR9310-GE3
商品编号: C3291024
商品封装: TO-252AA
包装方式: 编带
商品毛重: 0.437克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率MOSFET采用先进的加工技术,实现了单位硅面积的低导通电阻。这一优势,再结合功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计,为设计师提供了一种极其高效可靠的器件,可广泛应用于各种领域。 DPAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本(IRFU/SiHFU系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功率耗散水平可达1.5 W。

商品特性

先进的工艺技术
全雪崩额定
表面贴装(IRFR9310、SiHFR9310)
直引脚(IRFU9310、SiHFU9310)
P沟道
快速开关
符合RoHS标准
无卤

应用领域

汽车车载充电器
混合动力汽车（HEV）的汽车 DC/DC 转换器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	400V
	连续漏极电流(Id)	1.8A
	导通电阻(RDS(on))	7Ω@10V
	耗散功率(Pd)	50W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	13nC@10V
	输入电容(Ciss)	270pF
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	50pF