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SIHD11N80AE-GE3
1个N沟道 耐压:800V 电流:8A
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- 描述
- 特性：低品质因数 (FOM) Rₒₙ × Qg。 低有效电容 (Ciss)。 降低开关和传导损耗。 超低栅极电荷 (Qg)。 雪崩能量额定 (UIS)。 集成齐纳二极管 ESD 保护。应用：服务器和电信电源。 开关模式电源 (SMPS)
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHD11N80AE-GE3
- 商品编号
- C3291004
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.627克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 804pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 34pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- 栅源电压为10 V、漏极电流为2.7 A时，最大漏源导通电阻 = 40 mΩ
- 栅源电压为4.5 V、漏极电流为2.7 A时，最大漏源导通电阻 = 60 mΩ
- 低栅极电荷：10 V时的栅极电荷 = 6 nC（典型值）
- 低栅极电阻
- 雪崩额定且经过100%测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 低电流DC-DC开关
- 线性稳压
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