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IRFR110TRLPBF-BE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:4.3A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFR110TRLPBF-BE3
- 商品编号
- C3291006
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 540mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.8pF@80V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款采用条纹平面设计的HEXFET®功率MOSFET专为汽车应用而设计，利用最新的加工技术，实现了单位硅面积的低导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，这一优势为设计师提供了一款极其高效可靠的器件，可用于汽车及其他多种应用。
商品特性
- 先进的平面技术
- 低导通电阻
- 动态dV/dT额定值
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 全雪崩额定值
- 允许在最高结温Tjmax下进行重复雪崩
- 无铅，符合RoHS标准
- 通过汽车级认证*
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