温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SUD50P06-15-BE3
1个P沟道 耐压:60V 电流:50A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。应用：负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SUD50P06-15-BE3
- 商品编号
- C3291016
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 165nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.95nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 405pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 480pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的平面DMOS技术制造。 这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源。
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 负载开关
相似推荐
其他推荐
- SQD30N05-20L_T4GE3
- IRFR120TRRPBF-BE3
- SIHFR430ATRR-GE3
- SIHFR430ATR-GE3
- SIHFR9310-GE3
- SQD50P08-28-T4_GE3
- SUD50P04-08-BE3
- SQD50P04-13L_GE3
- IRFR9014TRPBF-BE3
- SIHD3N50D-BE3
- SQD50P08-28_GE3
- SUD90330E-GE3
- IRFR014TRLPBF-BE3
- SQD40N10-25-T4_GE3
- SUD50N04-8M8P-4BE3
- SIHFR9024TR-GE3
- SIHFR420A-GE3
- SQD50P04-09L_T4GE3
- SUM70042E-GE3
- SQM40041EL_GE3
- SQM50020EL_GE3