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SQD45P03-12_GE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SQD45P03-12_GE3

1个P沟道 耐压:30V 电流:50A

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描述
特性:TrenchFET功率MOSFET。 低热阻封装。 AEC-Q101认证。 100% Rg和UIS测试
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SQD45P03-12_GE3
商品编号
C3291010
商品封装
TO-252AA​
包装方式
编带
商品毛重
0.7克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))24mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)48W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)83nC@10V
输入电容(Ciss)3.495nF
反向传输电容(Crss)590pF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)770pF

商品概述

这一代新型沟槽 MOSFET 采用独特结构,兼具低导通电阻和快速开关速度的优势。ZXMP7A17KQ 非常适合高效、低压电源管理应用。

商品特性

  • 低导通电阻
  • 快速开关速度
  • 低阈值
  • 低栅极驱动
  • DPAK 封装
  • 无铅表面处理;符合 RoHS 标准
  • 无卤素和锑,“绿色”器件
  • 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
  • 具备生产件批准程序(PPAP)能力

应用领域

  • 直流-直流转换器-电源管理功能-断开开关-电机控制-D 类音频输出级

数据手册PDF