SQD45P03-12-T4_GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQD45P03-12-T4_GE3
- 商品编号
- C3291013
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 83nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.495nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 590pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 770pF |
商品概述
RM60N75LD采用先进的沟槽技术和设计，在实现低栅极电荷的同时提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于多种领域。
商品特性
- 漏源极电压VDS = 75 V；当栅源极电压VGS = 10 V时，漏极电流ID = 60 A；
- 当栅源极电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 8.5mΩ
- 采用特殊工艺技术，具备高静电防护能力
- 专为转换器和电源控制设计
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 全面表征雪崩电压和电流
- 高单脉冲雪崩能量耐量，稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的封装
- 100%进行非钳位感性负载测试！
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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