SIHFR9120-GE3
1个P沟道 耐压:100V 电流:5.6A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHFR9120-GE3
- 商品编号
- C3291015
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.627克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 390pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品特性
-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-表面贴装(IRFR9120、SiHFR9120)-直引脚(IRFU9120、SiHFU9120)-P沟道-快速开关-符合RoHS标准-无卤
应用领域
- 汽车发动机控制
- 同步降压转换器（用于笔记本系统电源及通用点负载）
- DC/DC 转换器
- 高电流开关应用
- 动力系统管理
- 分布式电源架构
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