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SQD40N06-14L_GE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:40A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 低热阻封装。 100% Rg和UIS测试。 AEC-Q101认证
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQD40N06-14L_GE3
- 商品编号
- C3291003
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.105nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 385pF |
商品概述
- 沟槽功率MOSFET技术-低导通电阻RDS(ON)-低栅极电荷-出色的热性能-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行Rg和UIS测试
- 通过AEC-Q101认证
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 用于直流风扇的P沟道+N沟道互补MOSFET
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