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SUD80460E-BE3

1个N沟道耐压:150V 电流:42A

品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SUD80460E-BE3
商品编号: C3291001
商品封装: TO-252AA
包装方式: 管装
商品毛重: 0.627克(g)

商品参数

商品概述

这些是采用MegaFET工艺制造的N沟道逻辑电平功率MOSFET。该工艺采用接近大规模集成电路（LSI）的特征尺寸，能充分利用硅材料，从而实现卓越性能。它们专为与逻辑电平（5V）驱动源配合使用而设计，应用于可编程控制器、汽车开关、开关稳压器、开关转换器、电机继电器驱动器以及双极晶体管发射极开关等领域。这种性能通过特殊的栅极氧化物设计实现，该设计可在3V至5V的栅极偏置下提供全额定电导，从而便于直接从逻辑电路电源电压进行真正的通断功率控制。

商品特性

16A，50V
rDS(ON) = 0.047 Ω
非钳位感应开关（UIS）安全工作区（SOA）额定曲线（单脉冲）
针对5V栅极驱动进行优化设计
可直接由CMOS、NMOS、TTL电路驱动
符合汽车驱动要求
安全工作区受功率耗散限制
纳秒级开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
多数载流子器件

应用领域

可编程控制器-汽车开关-开关稳压器-开关转换器-电机继电器驱动器-双极晶体管发射极开关

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	150V
	连续漏极电流(Id)	42A
	导通电阻(RDS(on))	44.7mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	65.2W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA
	栅极电荷量(Qg)	10.5nC@10V
	输入电容(Ciss)	560pF@50V
	反向传输电容(Crss)	8pF@50V
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道