FDD16AN08A0_NL
1个N沟道 耐压:75V 电流:50A 电流:9A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD16AN08A0_NL
- 商品编号
- C3290996
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 135W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.874nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 91pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。与具有类似漏源导通电阻规格的其他MOSFET相比，该MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷，可实现更高整体效率的DC/DC电源设计。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 50 A 条件下,RDS(on) = 13 m Ω(典型值)
- 在 VGS = 10 V 条件下,QG(\text tot) = 31 nC(典型值)
- 低米勒电荷
- 低 Qrr 体二极管
- 具有单脉冲和重复脉冲的非钳位感性开关(UIS)能力
应用领域
-同步整流-电池保护电路-电机驱动和不间断电源