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SUD50P06-15L-E3
1个P沟道 耐压:60V 电流:50A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SUD50P06-15L-E3
- 商品编号
- C3290999
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.452克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 165nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.95nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正。
商品特性
- 4.4A、250V，VGS = 10V时，RDS(ON) = 1.1Ω
- 低栅极电荷（典型值4.5nC）
- 低Crss（典型值5pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
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