RFD16N05LSM_NL
1个N沟道 耐压:50V 电流:16A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- RFD16N05LSM_NL
- 商品编号
- C3290932
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 121pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
RM30P55LD采用先进的沟槽技术和设计，在实现低栅极电荷的同时，提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = -55V，漏极电流ID = -30A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 40 mΩ
- 采用高密度单元设计，实现极低的导通电阻Rdson
- 具备完整的雪崩电压和电流特性
- 高单脉冲雪崩能量EAS，稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源