RFD16N05LSM_NL
1个N沟道 耐压:50V 电流:16A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- RFD16N05LSM_NL
- 商品编号
- C3290932
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 121pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些是采用MegaFET工艺制造的N沟道逻辑电平功率MOSFET。该工艺采用接近大规模集成电路(LSI)的特征尺寸,能充分利用硅材料,从而实现卓越性能。它们专为与逻辑电平(5V)驱动源配合使用而设计,应用于可编程控制器、汽车开关、开关稳压器、开关转换器、电机继电器驱动器以及双极晶体管发射极开关等领域。这种性能通过特殊的栅极氧化物设计实现,该设计可在3V至5V的栅极偏置下提供全额定电导,从而便于直接从逻辑电路电源电压进行真正的通断功率控制。
商品特性
- 16A,50V
- rDS(ON) = 0.047 Ω
- 非钳位感应开关(UIS)安全工作区(SOA)额定曲线(单脉冲)
- 针对5V栅极驱动进行优化设计
- 可直接由CMOS、NMOS、TTL电路驱动
- 符合汽车驱动要求
- 安全工作区受功率耗散限制
- 纳秒级开关速度
- 线性传输特性
- 高输入阻抗
- 多数载流子器件
应用领域
-可编程控制器-汽车开关-开关稳压器-开关转换器-电机继电器驱动器-双极晶体管发射极开关