SFW9Z24TM
1个P沟道 耐压:60V 电流:9.7A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SFW9Z24TM
- 商品编号
- C3290970
- 商品封装
- TO-252-3(DPAK)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 49W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 215pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计，旨在最大限度地降低导通电阻、提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效开关式DC/DC转换器和开关电源。
商品特性
- 雪崩坚固技术
- 坚固栅氧化层技术
- 更低的输入电容
- 优化的栅极电荷
- 扩展的安全工作区
- 175°C工作温度
- 更低的漏电流:10 μA(最大值)@ VDS = -60 V
- 低RDS(ON):0.206 Ω(典型值)