SFW2955TM
1个P沟道 耐压:60V 电流:9.4A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SFW2955TM
- 商品编号
- C3290969
- 商品封装
- TO-252-3(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 215pF |
商品概述
这款高压MOSFET采用先进的终端结构，在不随时间降低性能的前提下，增强了耐压能力。此外，这款先进的MOSFET设计用于承受雪崩和换向模式下的高能量。全新的节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。这些器件专为电源、转换器和PWM电机控制中的高压、高速开关应用而设计，特别适用于对二极管速度和换向安全工作区要求苛刻的桥式电路，并能针对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 雪崩耐用技术
- 耐用栅极氧化层技术
- 更低的输入电容
- 改善的栅极电荷
- 扩展的安全工作区
- 175°C工作温度
- 更低的漏电流:10 μA(最大值)@ VDS = -60V
- 低RDS(ON):0.22 Ω(典型值)