FDD6670AL_NL
1个N沟道 耐压:30V 电流:84A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD6670AL_NL
- 商品编号
- C3290917
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 84A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.845nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 368pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 930pF |
商品概述
这款高压N沟道功率MOSFET是MDmesh DM6快速恢复二极管系列的一部分。与上一代MDmesh快速恢复系列相比，DM6在每单位面积的RDS(on)方面实现了极低的恢复电荷（Qrr）、恢复时间（trr），并显著改善。同时，它具备市场上最有效的开关性能之一，适用于要求严苛的高效桥接拓扑和ZVS移相转换器。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 与前代产品相比，每单位面积的RDS(on)更低
- 栅极电荷、输入电容和电阻低
- 经过100%雪崩测试
- 具有极高的dv/dt鲁棒性
- 齐纳保护
- 借助额外的驱动源引脚，具备出色的开关性能
应用领域
-开关应用