HUFA76419D3S
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUFA76419D3S
- 商品编号
- C3290924
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.627克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低电压应用，如汽车、DC/DC转换器，以及便携式和电池供电产品电源管理的高效开关。
商品特性
- 22.7A、60V，VGS = 10V时，RDS(on) = 0.045Ω
- 低栅极电荷（典型值19nC）
- 低Crss（典型值40pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 最高结温额定值150°C
应用领域
- 汽车
- DC/DC转换器
- 便携式和电池供电产品电源管理的高效开关