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NP50P06SDG-E1-AY
1个P沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 这是一款专为大电流开关应用设计的P沟道MOS场效应晶体管。
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP50P06SDG-E1-AY
- 商品编号
- C3290852
- 商品封装
- TO-252(MP-3ZK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 84W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@48V | |
| 输入电容(Ciss) | 5nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
NP90N04VDK是专为大电流开关应用设计的N沟道MOS场效应晶体管。
商品特性
- 超低导通电阻
- 最大导通电阻RDS(on) = 2.8 mΩ（VGS = 10 V，ID = 45 A）
- 低输入电容Ciss：典型值Ciss = 3900 pF（VDS = 25 V）
- 逻辑电平驱动类型
- 专为汽车应用设计，符合AEC-Q101标准
应用领域
- 汽车领域
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