温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HUF76107D3ST
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUF76107D3ST
- 商品编号
- C3290871
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 315pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形 DMOS 技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关式 DC/DC 转换器、开关电源和电机控制。
商品特性
- 逻辑电平栅极驱动
- 20A,30V
- 超低导通电阻,rDS(ON) = 0.052 Ω
- 温度补偿PSPICE模型
- 温度补偿SABER模型
- 热阻SPICE模型
- 热阻SABER模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- 非钳位电感开关(UIS)额定曲线
应用领域
-开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器-低压总线开关-便携式和电池供电产品的电源管理