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HUF76107D3ST
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUF76107D3ST
- 商品编号
- C3290871
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 315pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形 DMOS 技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关式 DC/DC 转换器、开关电源和电机控制。
商品特性
- 3.8A、200V，VGS = 10V 时，RDS(on) = 1.2Ω
- 低栅极电荷（典型值 4.8nC）
- 低 Crss（典型值 6.0pF）
- 快速开关
- 100% 雪崩测试
- 改善的 dv/dt 能力
- 低电平栅极驱动要求，可直接由逻辑驱动器驱动
应用领域
- 高效开关式 DC/DC 转换器
- 开关电源
- 电机控制