FQD2N60CTF
1个N沟道 耐压:600V 电流:1.9A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQD2N60CTF
- 商品编号
- C3290881
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 44W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC | |
| 输入电容(Ciss) | 235pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
UniFET™ MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该MOSFET专为降低导通电阻、提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 2 A条件下，RDS(on) = 1.15 Ω（典型值）
- 低栅极电荷（典型值11 nC）
- 低Crss（典型值5 pF）
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- LCD/LED/PDP电视-照明-不间断电源