我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐合作库存PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
预售商品
FQD30N06TF实物图
  • FQD30N06TF商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FQD30N06TF

1个N沟道 耐压:60V 电流:22.7A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FQD30N06TF
商品编号
C3290893
商品封装
TO-252(DPAK)​
包装方式
编带
商品毛重
0.437克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)22.7A
导通电阻(RDS(on))45mΩ@10V
耗散功率(Pd)-
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)25nC@10V
输入电容(Ciss)945pF
反向传输电容(Crss)52pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

这款N沟道MOSFET专门设计用于提高采用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率。它针对低栅极电荷、低rDS(ON)和快速开关速度进行了优化。

商品特性

  • 22.7A、60V,VGS = 10V时,RDS(on) = 0.045Ω
  • 低栅极电荷(典型值19nC)
  • 低Crss(典型值40pF)
  • 快速开关
  • 100%雪崩测试
  • 改善的dv/dt能力
  • 最高结温额定值150°C

应用领域

  • 汽车
  • DC/DC转换器
  • 便携式和电池供电产品电源管理的高效开关

数据手册PDF