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DMN10H220LK3-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:7.5A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN10H220LK3-13
- 商品编号
- C3290877
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 179mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 18.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 384pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 23pF |
商品概述
该产品是一款P沟道MOS场效应晶体管，专为大电流开关应用而设计。
商品特性
- 超低导通电阻：RDS(on) 最大为16.5 mΩ（VGS = -10 V，ID = -25 A）
- RDS(on) 最大为23.0 mΩ（VGS = -4.5 V，ID = -25 A）
- 低输入电容：Ciss典型值为5000 pF
- 专为汽车应用设计，符合AEC-Q101标准
- 无铅（该产品外部电极不含铅）
应用领域
- 汽车领域