RJL5014DPP-A0#T2
500V,19A MOSFET
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RJL5014DPP-A0#T2
- 商品编号
- C3290612
- 商品封装
- TO-220FN
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@400V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
商品特性
- 内置快速恢复二极管
- 低导通电阻
- 典型RDS(ON) = 0.32Ω(在ID = 9.5 A、VGS = 10 V、Ta = 25°C条件下)
- 低漏电流
- 高速开关
- 质量等级:标准
应用领域
- 高效开关模式电源
- 有源功率因数校正
- 基于半桥拓扑的电子灯镇流器
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