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2N7002HR
1个N沟道 耐压:60V 电流:360mA
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- 描述
- N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装为小型 SOT23 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- 2N7002HR
- 商品编号
- C3290631
- 商品封装
- TO-236AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 360mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 500pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 34pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
-逻辑电平兼容-开关速度极快-沟槽 MOSFET 技术-通过 AEC-Q101 认证
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路