温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NXV55UNR
1个N沟道 耐压:30V 电流:1.9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，封装于小型SOT23表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- NXV55UNR
- 商品编号
- C3290637
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 66mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 480mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 352pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 36pF |
商品特性
- 超结MOSFET
- 低导通电阻RDS(on) = 0.23Ω（典型值）（ID = 8A、VGS = 10V、Ta = 25°C时）
- 高速开关
- tf = 17 ns（典型值）（ID = 8A、VGS = 10V、RL = 37.5Ω、Rg = 10Ω、Ta = 25°C时）