IRFP251
N沟道,电流:33A,耐压:150V
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- IRFP251
- 商品编号
- C3290669
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SuperFET是新一代高压MOSFET系列产品，采用先进的电荷平衡机制，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。 这项先进技术可将传导损耗降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET非常适合各种AC/DC开关模式电源转换应用，有助于实现系统小型化和提高效率。
商品特性
- 650V @ TJ = 150°C
- 典型Rds(on)=0.15Ω
- 超低栅极电荷（典型Qg=55nC）
- 低有效输出电容（典型Coss.eff=110pF）
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准