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IXTH12N65X2
1个N沟道 耐压:650V 电流:12A
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTH12N65X2
- 商品编号
- C3290689
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 830pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些器件专为高频（HF）和甚高频（VHF）通信、工业、科学和医疗（ISM）以及广播应用而设计。这些器件极为耐用，在高达250 MHz的频率下表现出高性能。
商品特性
- 镜像引脚版本（A和B），便于在推挽、双管配置中使用
- 在30至50 V电压范围内进行特性表征
- 适用于线性应用
- 集成静电放电（ESD）保护，具有更大的负栅 - 源电压范围，可改善C类工作状态
- 纳入恩智浦（NXP）产品长寿计划，产品推出后至少保证供应15年
应用领域
- 工业、科学、医疗（ISM）
- 激光产生
- 等离子体蚀刻
- 粒子加速器
- 磁共振成像（MRI）及其他医疗应用
- 工业加热、焊接和干燥系统
- 无线电和甚高频电视广播
- 高频和甚高频通信
- 开关模式电源