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IXKR40N60C实物图
  • IXKR40N60C商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXKR40N60C

N沟道,电流:38A,耐压:600V

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品牌名称
Littelfuse/IXYS
商品型号
IXKR40N60C
商品编号
C3290707
商品封装
TO-247-3​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)38A
导通电阻(RDS(on))70mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)250nC
工作温度-40℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

Power MOS V® 是新一代高压 N 沟道增强型功率 MOSFET。这项新技术可最大程度减小 JFET 效应,提高封装密度并降低导通电阻。Power MOS V® 还通过优化栅极布局实现更快的开关速度。

商品特性

  • 带DCB底座的ISOPLUS247TM封装
  • 与散热器实现电气隔离
  • 与散热器的耦合电容低,可降低EMI
  • 高功率耗散
  • DCB上芯片的高温循环能力强
  • 与JEDEC TO-247AD兼容
  • 易于夹装
  • 快速CoolMOSTM 1)第三代功率MOSFET
  • 高阻断能力
  • 低导通电阻
  • 雪崩额定适用于无钳位电感开关(UIS)
  • 因芯片厚度减小而具有低热阻
  • 增强的总功率密度

应用领域

  • 开关模式电源(SMPS)
  • 不间断电源(UPS)
  • 功率因数校正(PFC)
  • 焊接
  • 感应加热

数据手册PDF