温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NVHL065N65S3F
1个N沟道 耐压:650V 电流:46A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：超低栅极电荷和低有效输出电容。较低的品质因数（RDS(ON)max × Qgtyp 和 RDS(ON)max × EOSS）。通过 AEC-Q101 认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅且符合 RoHS 标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVHL065N65S3F
- 商品编号
- C3290725
- 商品封装
- TO-247-4LD
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 337W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 98nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.075nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 超低栅极电荷与低有效输出电容
- 更低的品质因数((RDS(on))最大值 × Qg典型值 及 RDS(on)最大值 × EOSS)
- 通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件无铅且符合RoHS标准