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NVH4L027N65S3F实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NVH4L027N65S3F

单N沟道,电流:75A,耐压:650V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NVH4L027N65S3F
商品编号
C3290756
商品封装
TO-247-4L​
包装方式
管装
商品毛重
8.6克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)75A
导通电阻(RDS(on))27.4mΩ@10V
耗散功率(Pd)595W
阈值电压(Vgs(th))5V@3mA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)227nC@10V
输入电容(Ciss)7.78nF
反向传输电容(Crss)26pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)200pF

商品特性

  • 高功率耗散
  • 隔离安装面
  • 2500V 电气隔离
  • 直接覆铜基板上的硅芯片
  • 低漏极到散热片电容(<30pF)
  • 低 RDS(on) HDMOSTM 工艺
  • 坚固的多晶硅栅单元结构
  • 额定用于非钳位电感负载开关(UIS)
  • 快速本征整流器

应用领域

  • DC-DC 转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-DC 斩波器-交流电机控制

数据手册PDF